Продукція > IXYS > MDNA280UB2200PTED

MDNA280UB2200PTED IXYS

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MDNA280UB2200PTED IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw, Type of module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.7kV, Collector current: 100A, Case: E2-Pack, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Mechanical mounting: screw, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MDNA280UB2200PTED

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS Description: BIPOLARMODULE-RECTIFIER+BRAKE E2
товар відсутній
MDNA280UB2200PTED MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS MDNA280UB2200PTED-1623243.pdf Discrete Semiconductor Modules BIPOLAR MODULE-RECT+BRAKE
товар відсутній
MDNA280UB2200PTED Виробник : IXYS Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.7kV; screw
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.7kV
Collector current: 100A
Case: E2-Pack
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mechanical mounting: screw
товар відсутній