на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4575.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MID145-12A3 IXYS
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5, Case: Y4-M5, Application: fans; for pump; motors; photovoltaics, Power dissipation: 700W, Electrical mounting: FASTON connectors; screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: IGBT, Technology: NPT, Topology: boost chopper, Max. off-state voltage: 1.2kV, Semiconductor structure: diode/transistor, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 110A, Pulsed collector current: 200A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MID145-12A3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| MID145-12A3 | Виробник : IXYS |
 IGBT Modules 145 Amps 1200V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
MID145-12A3 | Виробник : Littelfuse |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 160A 700000mW 7-Pin Y4-M5 |
товар відсутній |
|
| MID145-12A3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5 Case: Y4-M5 Application: fans; for pump; motors; photovoltaics Power dissipation: 700W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 200A кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| MID145-12A3 | Виробник : IXYS |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; boost chopper; Urmax: 1.2kV; Y4-M5 Case: Y4-M5 Application: fans; for pump; motors; photovoltaics Power dissipation: 700W Electrical mounting: FASTON connectors; screw Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: NPT Topology: boost chopper Max. off-state voltage: 1.2kV Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 110A Pulsed collector current: 200A |
товар відсутній |