Продукція > ONSEMI > MJD128T4G
MJD128T4G

MJD128T4G onsemi

MJD128_D-2316056.pdf Виробник: onsemi
Darlington Transistors BIP PNP 8A 120V TR
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.79 грн
10+ 47.9 грн
100+ 36.6 грн
500+ 32.55 грн
1000+ 26.9 грн
2500+ 24.98 грн
5000+ 24.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD128T4G onsemi

Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: DPAK, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Power - Max: 1.75 W.

Інші пропозиції MJD128T4G за ціною від 26.51 грн до 66.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD128T4G MJD128T4G Виробник : onsemi mjd128-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.82 грн
10+ 52.59 грн
100+ 40.91 грн
500+ 32.54 грн
1000+ 26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJD128T4G mjd128-d.pdf
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MJD128T4G MJD128T4G Виробник : ON Semiconductor mjd128-d.pdf Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD128T4G MJD128T4G Виробник : ON Semiconductor mjd128-d.pdf Trans Darlington PNP 120V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
MJD128T4G MJD128T4G Виробник : onsemi mjd128-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 120V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Power - Max: 1.75 W
товар відсутній