Продукція > DIODES ZETEX > MJD31C-13
MJD31C-13

MJD31C-13 Diodes Zetex

450100156535137ds31625.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+9.38 грн
5000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJD31C-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції MJD31C-13 за ціною від 8.34 грн до 46.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.1 грн
5000+ 10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.71 грн
5000+ 9.79 грн
12500+ 9.09 грн
25000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
453+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 453
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+26.38 грн
500+ 19.24 грн
1000+ 12.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+27.88 грн
24+ 24.1 грн
25+ 23.88 грн
100+ 15.44 грн
250+ 8.41 грн
Мінімальне замовлення: 21
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Description: TRANS NPN 100V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 36407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.62 грн
11+ 26.16 грн
100+ 18.18 грн
500+ 13.33 грн
1000+ 10.83 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Incorporated ds31625.pdf Bipolar Transistors - BJT 100V 5A NPN SMT
на замовлення 2684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.17 грн
11+ 27.81 грн
100+ 15.28 грн
500+ 13.62 грн
1000+ 11.89 грн
Мінімальне замовлення: 10
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0004140715-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MJD31C-13 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+46.87 грн
20+ 39.12 грн
100+ 26.38 грн
500+ 19.24 грн
1000+ 12.52 грн
Мінімальне замовлення: 16
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Inc 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній
MJD31C-13 MJD31C-13 Виробник : Diodes Zetex 450100156535137ds31625.pdf Trans GP BJT NPN 100V 3A 1500mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товар відсутній