MJE13007 JSMicro Semiconductor
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 35; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor NPN; 35; 80W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 JSMICRO TMJE13007 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MJE13007 JSMicro Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 14MHz, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.
Інші пропозиції MJE13007 за ціною від 206.85 грн до 206.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MJE13007 | Виробник : NTE Electronics, Inc. | Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
MJE13007 | Виробник : On Semiconductor | NPN, Uкэ=400V, Iк=8A (16 имп.), h21=5...40, 4МГц (тип. 14МГц), 80Вт, TO-220AB |
на замовлення 2 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||
MJE13007 | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 14MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
товар відсутній |
||||||
MJE13007 | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 400V 80W NPN |
товар відсутній |
||||||
MJE13007 | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |
||||||
MJE13007 | Виробник : STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT IGBT & Power Bipolar |
товар відсутній |