Продукція > ON SEMICONDUCTOR > MJE5731G
MJE5731G

MJE5731G ON Semiconductor

mje5730-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MJE5731G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 10MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції MJE5731G за ціною від 29.29 грн до 107.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MJE5731G MJE5731G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014421709-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MJE5731G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 1 A, 40 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 10MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.11 грн
14+ 55.74 грн
100+ 43.59 грн
500+ 32.04 грн
Мінімальне замовлення: 11
MJE5731G MJE5731G Виробник : onsemi MJE5730_D-2316289.pdf Bipolar Transistors - BJT 1A 350V 40W PNP
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.2 грн
10+ 59.13 грн
100+ 42.05 грн
500+ 36.67 грн
1000+ 31.22 грн
3000+ 30.76 грн
5000+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
MJE5731G MJE5731G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+72.55 грн
196+ 59.52 грн
Мінімальне замовлення: 161
MJE5731G MJE5731G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+83.94 грн
10+ 74.24 грн
100+ 60.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
MJE5731G MJE5731G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
119+98.54 грн
154+ 75.96 грн
500+ 67.21 грн
Мінімальне замовлення: 119
MJE5731G MJE5731G Виробник : ON Semiconductor mje5730-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 1A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+107.96 грн
10+ 91.5 грн
100+ 70.53 грн
500+ 60.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
MJE5731G MJE5731G Виробник : onsemi mje5730-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 40 W
товар відсутній