MMRF1007HSR5 NXP USA Inc.
Виробник: NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: NI-1230-4S
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4S
Part Status: Active
Voltage - Rated: 110 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 150 mA
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMRF1007HSR5 NXP USA Inc.
Description: FET RF 2CH 110V 1.03GHZ NI-1230S, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-1230-4S, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 20dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4S, Part Status: Active, Voltage - Rated: 110 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 150 mA.
Інші пропозиції MMRF1007HSR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MMRF1007HSR5 | Виробник : NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors MOSFET 965-1215 MHz 1000 W 50 V |
товар відсутній |