Технічний опис MMRF1008GHR5 NXP Semiconductors
Description: PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: NI-780GH-2L, Current Rating (Amps): 100µA, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 900MHz ~ 1.215GHz, Power - Output: 275W, Gain: 20.3dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-780GH-2L, Part Status: Last Time Buy, Voltage - Rated: 100 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.
Інші пропозиції MMRF1008GHR5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MMRF1008GHR5 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: PULSE LATERAL N-CHANNEL RF POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: NI-780GH-2L Current Rating (Amps): 100µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 900MHz ~ 1.215GHz Power - Output: 275W Gain: 20.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780GH-2L Part Status: Last Time Buy Voltage - Rated: 100 V Voltage - Test: 50 V Current - Test: 100 mA |
товар відсутній |
||
MMRF1008GHR5 | Виробник : NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors Pulse Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 960-1215 MHz, 275 W, 50 V |
товар відсутній |