Продукція > NXP USA INC. > MMRF1312HR5
MMRF1312HR5

MMRF1312HR5 NXP USA Inc.

Виробник: NXP USA Inc.
Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+38759.22 грн
10+ 36201.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MMRF1312HR5 NXP USA Inc.

Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-979A, Mounting Type: Chassis Mount, Frequency: 1.03GHz, Configuration: Dual, Power - Output: 1000W, Gain: 19.6dB, Technology: LDMOS, Supplier Device Package: NI-1230-4H, Part Status: Active, Voltage - Rated: 112 V, Voltage - Test: 50 V, Current - Test: 100 mA.

Інші пропозиції MMRF1312HR5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MMRF1312HR5 MMRF1312HR5 Виробник : NXP Semiconductors mmrf1312h.pdf Trans RF MOSFET N-CH 112V 5-Pin NI-1230H T/R
товар відсутній
MMRF1312HR5 MMRF1312HR5 Виробник : NXP USA Inc. Description: RF MOSFET LDMOS 50V NI1230
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-979A
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.03GHz
Configuration: Dual
Power - Output: 1000W
Gain: 19.6dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: NI-1230-4H
Part Status: Active
Voltage - Rated: 112 V
Voltage - Test: 50 V
Current - Test: 100 mA
товар відсутній
MMRF1312HR5 MMRF1312HR5 Виробник : NXP Semiconductors MMRF1312H-3137798.pdf RF MOSFET Transistors RF POWER LDMOS TRANSISTOR 900-1215 MHz, 1000 W Peak, 52 V
товар відсутній