MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5949.43 грн |
10+ | 5570.34 грн |
25+ | 4716.23 грн |
100+ | 4359.53 грн |
250+ | 4209.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MS1001 Advanced Semiconductor, Inc.
Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174, Packaging: Bulk, Package / Case: M174, Mounting Type: Chassis Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 200°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 270W, Current - Collector (Ic) (Max): 20A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: M174, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції MS1001
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
MS1001 | Виробник : MICROSEMI | TO-55 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
MS1001 | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Packaging: Bulk Package / Case: M174 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Gain: 13dB Power - Max: 270W Current - Collector (Ic) (Max): 20A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 18V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: M174 Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||
MS1001 | Виробник : Microchip Technology | RF Bipolar Transistors Bipolar/LDMOS Transistor |
товар відсутній |