MSC015SMA070S MICROCHIP (MICROSEMI)
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W
Drain-source voltage: 700V
Type of transistor: N-MOSFET
Case: D3PAK
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 315A
Power dissipation: 370W
Gate charge: 215nC
Polarisation: unipolar
Technology: SiC
Drain current: 89A
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2212.38 грн |
| 2+ | 1942.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC015SMA070S MICROCHIP (MICROSEMI)
Description: SICFET N-CH 700V 126A D3PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA (Typ), Supplier Device Package: D3Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V.
Інші пропозиції MSC015SMA070S за ціною від 1818.74 грн до 3556.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC015SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 700V 126A D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA (Typ) Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +23V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC015SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC015SMA070S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 89A; Idm: 315A; 370W Drain-source voltage: 700V Type of transistor: N-MOSFET Case: D3PAK On-state resistance: 19mΩ Mounting: SMD Pulsed drain current: 315A Power dissipation: 370W Gate charge: 215nC Polarisation: unipolar Technology: SiC Drain current: 89A Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC015SMA070S | Виробник : Microsemi |
SiC MOSFETs |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MSC015SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
MSC015SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
MSC015SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |