MSC017SMA120J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4510.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC017SMA120J Microchip Technology
Description: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227, Packaging: Bulk, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 278W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ), Supplier Device Package: SOT-227, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +23V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC017SMA120J за ціною від 3287.41 грн до 4780 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC017SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MSC017SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
товар відсутній |
||||||||||
| MSC017SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227 |
товар відсутній |