MSC040SMA120J Microchip Technology
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2936.35 грн |
| 10+ | 2668.29 грн |
| 100+ | 2019.34 грн |
| 500+ | 1958.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC040SMA120J Microchip Technology
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції MSC040SMA120J за ціною від 3155.09 грн до 3155.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC040SMA120J | Виробник : Microsemi |
 Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
MSC040SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||
|
|
MSC040SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 53A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||
| MSC040SMA120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 105A Power dissipation: 208W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 37A On-state resistance: 50mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||
 |
MSC040SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
Description: SICFET N-CH 1200V 53A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 137 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1990 pF @ 1000 V |
товар відсутній |
|||||
| MSC040SMA120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 37A; SOT227B; screw; Idm: 105A Power dissipation: 208W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 105A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 37A On-state resistance: 50mΩ |
товар відсутній |