MSC080SMA120J Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 35A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1958.76 грн |
| 25+ | 1738.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC080SMA120J Microchip Technology
Category: Transistor modules MOSFET, Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; SOT227B; screw; Idm: 91A, Power dissipation: 200W, Case: SOT227B, Semiconductor structure: single transistor, Electrical mounting: screw, Mechanical mounting: screw, Type of module: MOSFET transistor, Technology: SiC, Pulsed drain current: 91A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 26A, On-state resistance: 0.1Ω, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC080SMA120J за ціною від 1384.31 грн до 2075.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC080SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
Discrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm SOT-227 |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC080SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC080SMA120J | Виробник : Microchip Technology |
SiC MOSFETs |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
MSC080SMA120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; SOT227B; screw; Idm: 91A Power dissipation: 200W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 91A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
MSC080SMA120J | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 26A; SOT227B; screw; Idm: 91A Power dissipation: 200W Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor Technology: SiC Pulsed drain current: 91A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 26A On-state resistance: 0.1Ω |
товар відсутній |