MSC090SMA070S Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 579.87 грн |
| 25+ | 514.77 грн |
| 100+ | 418.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MSC090SMA070S Microchip Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: SiC, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 700V, Drain current: 18A, Pulsed drain current: 65A, Power dissipation: 91W, Case: D3PAK, On-state resistance: 0.115Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції MSC090SMA070S за ціною від 422.47 грн до 942.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
MOSFET UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
на замовлення 60 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
MSC090SMA070S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 18A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 91W Case: D3PAK On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MSC090SMA070S | Виробник : MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 700V; 18A; Idm: 65A; 91W; D3PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 18A Pulsed drain current: 65A Power dissipation: 91W Case: D3PAK On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
| MSC090SMA070S | Виробник : Microsemi |
MSC090SMA070S |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| MSC090SMA070S | Виробник : Microchip Technology |
UNRLS, FG, SIC MOSFET, TO-268 |
товар відсутній |