MSJW20N65A-BP

MSJW20N65A-BP Micro Commercial Co


Виробник: Micro Commercial Co
Description: MOSFET N-CH TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 100 V
на замовлення 5395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+330.53 грн
10+ 267.09 грн
100+ 216.06 грн
500+ 180.23 грн
1000+ 154.32 грн
2000+ 145.31 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис MSJW20N65A-BP Micro Commercial Co

Description: MOSFET N-CH TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 100 V.

Інші пропозиції MSJW20N65A-BP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
MSJW20N65A-BP MSJW20N65A-BP Виробник : Micro Commercial Components (MCC) MSJW20N65A_TO_247_-3132491.pdf MOSFET N-CHANNEL MOSFET,TO-247
товар відсутній