MWI75-12A8 IXYS

Виробник: IXYS
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Mechanical mounting: screw
Technology: NPT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Application: motors
Power dissipation: 500W
Pulsed collector current: 150A
Type of module: IGBT
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 85A
Topology: IGBT three-phase bridge
кількість в упаковці: 1 шт

товар відсутній

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис MWI75-12A8 IXYS

Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Electrical mounting: Press-in PCB, Case: E3-Pack, Mechanical mounting: screw, Technology: NPT, Semiconductor structure: transistor/transistor, Application: motors, Power dissipation: 500W, Pulsed collector current: 150A, Type of module: IGBT, Gate-emitter voltage: ±20V, Collector current: 85A, Topology: IGBT three-phase bridge, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції MWI75-12A8

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
MWI75-12A8	Виробник : IXYS	Description: IGBT MODULE 1200V 125A 500W E3	товар відсутній
MWI75-12A8	Виробник : IXYS	Discrete Semiconductor Modules IGBT MOD 1200V, 75A	товар відсутній
MWI75-12A8	Виробник : IXYS	Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge Max. off-state voltage: 1.2kV Electrical mounting: Press-in PCB Case: E3-Pack Mechanical mounting: screw Technology: NPT Semiconductor structure: transistor/transistor Application: motors Power dissipation: 500W Pulsed collector current: 150A Type of module: IGBT Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 85A Topology: IGBT three-phase bridge	товар відсутній