N0400P-ZK-E1-AY

N0400P-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation


n0400p-data-sheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: ABU / MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+40.2 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис N0400P-ZK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: ABU / MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-252, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V.

Інші пропозиції N0400P-ZK-E1-AY за ціною від 38.59 грн до 97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
N0400P-ZK-E1-AY N0400P-ZK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation n0400p-data-sheet Description: ABU / MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 10 V
на замовлення 7406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97 грн
10+ 76.6 грн
100+ 59.55 грн
500+ 47.38 грн
1000+ 38.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
N0400P-ZK-E1-AY N0400P-ZK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0500ej0200_pomosfet_DST_20110819-2508811.pdf MOSFET POWER TRS2
товар відсутній