на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 10.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDC7003P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 340mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 960mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NDC7003P за ціною від 9.7 грн до 43.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDC7003P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDC7003P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7003P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.34A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 66pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 340mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active |
на замовлення 10903 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDC7003P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET Dual P-Ch FET Enhancement Mode |
на замовлення 30071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NDC7003P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDC7003P - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 340 mA, 340 mA, 1.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 340mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 960mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 6Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NDC7003P | Виробник : Fairchild |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin SuperSOT T/R NDC7003P TNDC7003p кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NDC7003P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NDC7003P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NDC7003P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.34A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NDC7003P | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -60V; -0.34A; 0.96W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.34A Power dissipation: 0.96W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Gate charge: 2.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |