на замовлення 650325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 902+ | 21.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDD05N50Z-1G onsemi
Description: ONSEMI - NDD05N50Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.7 A, 1.25 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NDD05N50Z-1G за ціною від 26.68 грн до 26.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDD05N50Z-1G | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NDD05N50Z-1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 4.7 A, 1.25 ohm, TO-251 (IPAK), DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 650325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
NDD05N50Z-1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.7A IPAK |
товар відсутній |