NE3503M04-T2-A

NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation


RNCCS03611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: RF MOSFET HFET 2V M04
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 70mA
Frequency: 12GHz
Gain: 12dB
Technology: HFET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: M04
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 29804 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
365+53.9 грн
Мінімальне замовлення: 365
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3503M04-T2-A Renesas Electronics Corporation

Description: RF MOSFET HFET 2V M04, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 12GHz, Gain: 12dB, Technology: HFET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Part Status: Obsolete, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції NE3503M04-T2-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NE3503M04-T2-A RNCCS03611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NE3503M04-T2-A
Код товару: 191033
RNCCS03611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > IGBT
товар відсутній
NE3503M04-T2-A Виробник : Renesas Electronics RNCCS03611-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Renesas Electronics
товар відсутній
NE3503M04-T2-A NE3503M04-T2-A Виробник : CEL ne3509m04-19679.pdf RF JFET Transistors SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET
товар відсутній