NGTG40N120FL2WG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NGTG40N120FL2WG - IGBT, 1.2KV, 80A, 175DEG C, 535W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTG40N120FL2WG ONSEMI
Description: IGBT 1200V 40A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns, Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 313 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 535 W.
Інші пропозиції NGTG40N120FL2WG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NGTG40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NGTG40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V/40A FAST IGBT FSII |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
NGTG40N120FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 535000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|
 |
NGTG40N120FL2WG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT 1200V 40A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 116ns/286ns Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 313 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 535 W |
товар відсутній |