Продукція > ONSEMI > NJVMJD32T4G
NJVMJD32T4G

NJVMJD32T4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.82 грн
10+ 56.88 грн
100+ 43.59 грн
500+ 32.34 грн
1000+ 25.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD32T4G onsemi

Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD32T4G за ціною від 20.19 грн до 68.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJVMJD32T4G Виробник : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK PNP 3A 40V TR
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.51 грн
10+ 59.05 грн
100+ 39.32 грн
500+ 31.09 грн
1000+ 24.91 грн
2500+ 22.52 грн
10000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
NJVMJD32T4G NJVMJD32T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
товар відсутній