Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP100N055PUK-E1-AY
NP100N055PUK-E1-AY

NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np100n055pukmos-field-effect-transistor Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+144.54 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP100N055PUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP100N055PUK-E1-AY за ціною від 108.27 грн до 260.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np100n055pukmos-field-effect-transistor Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7350 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.28 грн
10+ 193.53 грн
100+ 156.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP100N055PUK-E1-AY NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds0589ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930622.pdf MOSFET POWER AUTO MOS MP-25LZP ANL2 OTHER
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.39 грн
10+ 215.42 грн
25+ 181.34 грн
100+ 152.12 грн
250+ 146.8 грн
500+ 134.84 грн
800+ 108.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP100N055PUK-E1-AY Виробник : Renesas np100n055pukmos-field-effect-transistor MP-25ZP/TO-263NCH, SINGLE, MP-25ZP/TO-263, 55V, ID(DC)100A, кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)