Продукція > RENESAS > NP180N04TUG-E1-AY

NP180N04TUG-E1-AY Renesas


RNCCS04688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Renesas
TO-263-7 POWERMOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP180N04TUG-E1-AY Renesas

Description: 180A, 40V, N-CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP180N04TUG-E1-AY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP180N04TUG-E1-AY NP180N04TUG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics America Inc RNCCS04688-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 180A, 40V, N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 288W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25700 pF @ 25 V
товар відсутній