Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP36P04KDG-E1-AY
NP36P04KDG-E1-AY

NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

D18686EJ3V0DS00.pdf Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+84.26 грн
1600+ 68.84 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP36P04KDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NP36P04KDG-E1-AY за ціною від 61.24 грн до 163.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation D18686EJ3V0DS00.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+150.9 грн
10+ 120.54 грн
100+ 95.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP36P04KDG-E1-AY NP36P04KDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1523ej0100_np36p04kdg-3076145.pdf MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.52 грн
10+ 139.03 грн
100+ 96.98 грн
250+ 93 грн
500+ 80.38 грн
800+ 63.64 грн
4800+ 61.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP36P04KDG-E1-AY Виробник : Renesas D18686EJ3V0DS00.pdf TO263AB/36 A, 40 V, 0.0235 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET NP36P04
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній