Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP36P04SDG-E1-AY
NP36P04SDG-E1-AY

NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np36p04sdg-datasheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.34 грн
5000+ 47.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NP36P04SDG-E1-AY за ціною від 48.56 грн до 123.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np36p04sdg-datasheet Description: MOSFET P-CH 40V 36A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
на замовлення 10843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.25 грн
10+ 91.06 грн
100+ 72.48 грн
500+ 57.56 грн
1000+ 48.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP36P04SDG-E1-AY NP36P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1519ej0100_np36p04sdg-3075870.pdf MOSFET MP-3ZK PoTr-MOSFET Low
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.99 грн
10+ 105.42 грн
100+ 73.73 грн
250+ 70.41 грн
500+ 60.58 грн
1000+ 51.15 грн
2500+ 48.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP36P04SDG-E1-AY Виробник : Renesas np36p04sdg-datasheet to-252/SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній