Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50N04YUK-E1-AY
NP50N04YUK-E1-AY

NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50N04YUK-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerLDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NP50N04YUK-E1-AY за ціною від 44.64 грн до 116.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np50n04yuk40-v-50-n-channel-power-mos-fetapplication-automotive?r=499756 Description: LOW VOLTAGE POWER MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta), 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HSON (5x5.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.06 грн
10+ 85.25 грн
100+ 67.83 грн
500+ 53.86 грн
1000+ 45.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
NP50N04YUK-E1-AY NP50N04YUK-E1-AY Виробник : Renesas Electronics REN_r07ds1003ej0200_pomosfet_DST_20180524-2930617.pdf MOSFET LOW VOLTAGE POWER MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.25 грн
10+ 95.49 грн
100+ 66.09 грн
250+ 63.04 грн
500+ 55 грн
1000+ 47.16 грн
2500+ 44.64 грн
Мінімальне замовлення: 3