NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.7 грн |
| 10+ | 54.73 грн |
| 100+ | 42.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NSB8JT-E3/81 за ціною від 27.04 грн до 73.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
Rectifiers RECOMMENDED ALT 625-NSB8JT-E3 |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| NSB8JT-E3/81 |
|
на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
Rectifier Diode 600V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |