Продукція > ONSEMI > NSBC114EDP6T5G
NSBC114EDP6T5G

NSBC114EDP6T5G onsemi


dtc114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 14 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.15 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC114EDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Інші пропозиції NSBC114EDP6T5G за ціною від 5.11 грн до 20.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBC114EDP6T5G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors SOT-963 DUAL NBRT
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.15 грн
20+ 15.58 грн
100+ 8.57 грн
1000+ 6.44 грн
2500+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 16
NSBC114EDP6T5G NSBC114EDP6T5G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBC114EDP6T5G NSBC114EDP6T5G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній