NSBC143EPDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3771+ | 5.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBC143EPDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSBC143EPDXV6T1G за ціною від 4.92 грн до 32.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSBC143EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V Dual NPN & PNP |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSBC143EPDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NSBC143EPDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: SOT-563 |
товар відсутній |