NSV1C201LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSV1C201LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 110MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 490 mW.
Інші пропозиції NSV1C201LT1G за ціною від 10.23 грн до 39.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSV1C201LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSV1C201LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 110MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 490 mW |
на замовлення 17817 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSV1C201LT1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100 V, 2.0 A NPN Low VCE(sat) Bipolar Transistor |
на замовлення 24521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSV1C201LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |