Продукція > ONSEMI > NSVDTC113EM3T5G
NSVDTC113EM3T5G

NSVDTC113EM3T5G onsemi

dtc113e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
на замовлення 136000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.71 грн
18+ 15.78 грн
100+ 7.69 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 4.19 грн
2000+ 3.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVDTC113EM3T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 260 mW, Resistor - Base (R1): 1 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms.

Інші пропозиції NSVDTC113EM3T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVDTC113EM3T5G Виробник : ON Semiconductor DTC113E_D-2310891.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN DIGITAL TRANSIST
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NSVDTC113EM3T5G NSVDTC113EM3T5G Виробник : onsemi dtc113e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 260 mW
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 1 kOhms
товар відсутній
NSVDTC113EM3T5G Виробник : onsemi DTC113E_D-2310891.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN DIGITAL TRANSIST
товар відсутній