Продукція > ONSEMI > NTA4151PT1

NTA4151PT1 ONSEMI


nta4151p-d.pdf Виробник: ONSEMI
0521
на замовлення 1288 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTA4151PT1 ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 301mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTA4151PT1

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTA4151PT1 NTA4151PT1 Виробник : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
товар відсутній