Продукція > ONSEMI > NTBG040N120M3S
NTBG040N120M3S

NTBG040N120M3S onsemi

NTBG040N120M3S-D.PDF Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+882.38 грн
10+ 748.81 грн
100+ 647.6 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBG040N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V.

Інші пропозиції NTBG040N120M3S за ціною від 559.97 грн до 945.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S Виробник : onsemi NTBG040N120M3S_D-3150529.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+945.46 грн
10+ 821.19 грн
25+ 694.81 грн
50+ 656.29 грн
100+ 617.76 грн
250+ 598.5 грн
500+ 559.97 грн
NTBG040N120M3S Виробник : ON Semiconductor ntbg040n120m3s-d.pdf Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+562.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
NTBG040N120M3S NTBG040N120M3S Виробник : onsemi NTBG040N120M3S-D.PDF Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 10mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 800 V
товар відсутній