Продукція > ONSEMI > NTBGS1D5N06C
NTBGS1D5N06C

NTBGS1D5N06C onsemi


ntbgs1d5n06c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
на замовлення 9100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+232.87 грн
1600+ 192.01 грн
2400+ 180.8 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTBGS1D5N06C onsemi

Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA, Supplier Device Package: D2PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V.

Інші пропозиції NTBGS1D5N06C за ціною від 177.36 грн до 424.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C Виробник : onsemi ntbgs1d5n06c-d.pdf Description: POWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 267A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 64A, 12V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 318µA
Supplier Device Package: D2PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 30 V
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+385.86 грн
10+ 311.86 грн
100+ 252.28 грн
NTBGS1D5N06C NTBGS1D5N06C Виробник : onsemi NTBGS1D5N06C_D-2318558.pdf MOSFET Power MOSFET, 60 V, 1.62 m?, 267 A, Single N-Channel, D2PAK7 Power MOSFET, 60 V, 1.5 m?, 294 A, Single N-Channel, D2PAK7
на замовлення 3680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.68 грн
10+ 351.39 грн
25+ 295.59 грн
100+ 247.1 грн
250+ 239.8 грн
500+ 219.87 грн
800+ 177.36 грн