Продукція > ONSEMI > NTD250N65S3H
NTD250N65S3H

NTD250N65S3H onsemi

ntd250n65s3h-d.pdf Виробник: onsemi
Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+89.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTD250N65S3H onsemi

Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA, Supplier Device Package: TO-252 (DPAK), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V.

Інші пропозиції NTD250N65S3H за ціною від 85.65 грн до 208.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTD250N65S3H NTD250N65S3H Виробник : onsemi ntd250n65s3h-d.pdf Description: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.1mA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1261 pF @ 400 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.23 грн
10+ 148.21 грн
100+ 119.91 грн
500+ 100.03 грн
1000+ 85.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTD250N65S3H NTD250N65S3H Виробник : onsemi NTD250N65S3H_D-2318527.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, FAST, 650 V, 13 A, 250 mohm, DPAK
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.47 грн
10+ 172.64 грн
25+ 132.85 грн
100+ 120.89 грн
250+ 114.92 грн
500+ 108.94 грн
1000+ 104.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTD250N65S3H NTD250N65S3H Виробник : ON Semiconductor ntd250n65s3h-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 13A T/R
товар відсутній