NTK3134NT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTK3134NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 890mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-723, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NTK3134NT1G за ціною від 7.15 грн до 35.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTK3134NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 890mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V |
на замовлення 56000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTK3134NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain current: 0.64A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Case: SOT723 Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTK3134NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.64A; 0.45W; SOT723 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Drain current: 0.64A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±6V Case: SOT723 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTK3134NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 890mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 16 V |
на замовлення 58129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTK3134NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V/6V N CH T1 890mA 0.3 |
на замовлення 113901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|