NTK3139PT1G ON Semiconductor
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.43 грн |
| 8000+ | 3.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTK3139PT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-723, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NTK3139PT1G за ціною від 5.05 грн до 30.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 75882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V/6V P CH T1 780mA 0.4 |
на замовлення 518363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTK3139PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 660MA SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 780mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-723 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 16 V |
на замовлення 75882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NTK3139PT1G Код товару: 172766 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
NTK3139PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Drain current: -0.57A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT723 On-state resistance: 2.2Ω Gate-source voltage: ±6V кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTK3139PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.57A; 0.45W; SOT723 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Drain current: -0.57A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT723 On-state resistance: 2.2Ω Gate-source voltage: ±6V |
товар відсутній |