Продукція > ONSEMI > NTMFD1D6N03P8
NTMFD1D6N03P8

NTMFD1D6N03P8 onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1722000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+44.88 грн
6000+ 41.59 грн
9000+ 40.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD1D6N03P8 onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V, FET Feature: Standard, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Active.

Інші пропозиції NTMFD1D6N03P8 за ціною від 42.69 грн до 99.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFD1D6N03P8 NTMFD1D6N03P8 Виробник : onsemi Description: MOSFET 2N-CH 30V 17A/56A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 23W (Tc), 2.3W (Ta), 29W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc), 32A (Ta), 109A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1715pF @ 15V, 6430pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 17A, 10V, 1.6mOhm @ 32A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V, 87nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 1724994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.88 грн
10+ 79.64 грн
100+ 63.36 грн
500+ 50.32 грн
1000+ 42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
NTMFD1D6N03P8 Виробник : onsemi MOSFET PT8 N-CH DUAL 30V
товар відсутній