NTMFD4C85NT3G

NTMFD4C85NT3G ON Semiconductor


1241386232587989ntmfd4c85n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 25.4A/49.2A 8-Pin DFN EP T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTMFD4C85NT3G ON Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.13W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6).

Інші пропозиції NTMFD4C85NT3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTMFD4C85NT3G NTMFD4C85NT3G Виробник : onsemi NTMFD4C85N.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 15.4A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A, 29.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
товар відсутній
NTMFD4C85NT3G NTMFD4C85NT3G Виробник : onsemi NTMFD4C85N_D-601169.pdf MOSFET NFET SO8FL
товар відсутній