Продукція > ONSEMI > NTTFD022N10C

NTTFD022N10C onsemi

nttfd022n10c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+214.13 грн
10+ 173.05 грн
100+ 139.98 грн
500+ 116.77 грн
1000+ 99.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTTFD022N10C onsemi

Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 12-PowerWQFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA, Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3).

Інші пропозиції NTTFD022N10C

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTTFD022N10C Виробник : ON Semiconductor nttfd022n10c-d.pdf MOSFET, Power, 100V POWERTRENCH Power Clip Half Bridge Configuration
товар відсутній
NTTFD022N10C Виробник : onsemi nttfd022n10c-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 6A/24A 12WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 26W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 24A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 44µA
Supplier Device Package: 12-WQFN (3.3x3.3)
товар відсутній
NTTFD022N10C NTTFD022N10C Виробник : onsemi NTTFD022N10C_D-2319192.pdf MOSFET 100V DUAL N-CH MOSFET
товар відсутній