Продукція > ONSEMI > NVB082N65S3F
NVB082N65S3F

NVB082N65S3F onsemi

nvb082n65s3f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+362.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB082N65S3F onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 313W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB082N65S3F за ціною від 298.92 грн до 615.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB082N65S3F NVB082N65S3F Виробник : onsemi nvb082n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3410 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+575.56 грн
10+ 474.67 грн
100+ 395.57 грн
NVB082N65S3F NVB082N65S3F Виробник : onsemi NVB082N65S3F_D-2319344.pdf MOSFET SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+615.32 грн
10+ 520.21 грн
25+ 410.51 грн
100+ 376.63 грн
250+ 354.71 грн
500+ 332.13 грн
800+ 298.92 грн
NVB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb082n65s3f-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVB082N65S3F NVB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NVB082N65S3F NVB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NVB082N65S3F NVB082N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb082n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 40A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній