Продукція > ONSEMI > NVBG025N065SC1
NVBG025N065SC1

NVBG025N065SC1 onsemi

nvbg025n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1186.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG025N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V, Power Dissipation (Max): 395W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG025N065SC1 за ціною від 1338.55 грн до 2991.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBG025N065SC1 NVBG025N065SC1 Виробник : onsemi nvbg025n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28.5mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 15.5mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 164 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3480 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1788.47 грн
10+ 1530.42 грн
100+ 1338.55 грн
NVBG025N065SC1 NVBG025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg025n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2454.05 грн
NVBG025N065SC1 NVBG025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg025n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,19mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+2642.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVBG025N065SC1 NVBG025N065SC1 Виробник : onsemi NVBG025N065SC1_D-3150545.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2991.38 грн
10+ 2662.94 грн
25+ 2239.21 грн
100+ 2074.48 грн
250+ 2013.37 грн
500+ 1910.41 грн
800+ 1881.18 грн
NVBG025N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg025n065sc1-d.pdf NVBG025N065SC1
товар відсутній