Продукція > ONSEMI > NVBG030N120M3S
NVBG030N120M3S

NVBG030N120M3S onsemi

Виробник: onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1661.95 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG030N120M3S onsemi

Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V, Power Dissipation (Max): 348W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG030N120M3S за ціною від 1103.55 грн до 2609.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S Виробник : onsemi Description: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 30A, 18V
Power Dissipation (Max): 348W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2430 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2399.23 грн
10+ 2058.58 грн
100+ 1806.91 грн
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S Виробник : onsemi NVBG030N120M3S_D-3235541.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 30 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2606.22 грн
10+ 2288.63 грн
25+ 1871.88 грн
50+ 1809.44 грн
100+ 1747 грн
250+ 1684.56 грн
500+ 1578.94 грн
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg030n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+2609.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG030N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg030n120m3s-d.pdf SiC MOS D2PAK-7L 30mohm 1200V M3
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1103.55 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg030n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVBG030N120M3S NVBG030N120M3S Виробник : ON Semiconductor nvbg030n120m3s-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 77A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товар відсутній