NVH4L045N065SC1 onsemi
Виробник: onsemiMOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 33 mohm, 650V, M2, TO247-4L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 169-178 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2265.23 грн |
| 10+ | 2018.98 грн |
| 30+ | 1725.74 грн |
| 60+ | 1675.92 грн |
| 120+ | 1536.43 грн |
| 270+ | 1400.26 грн |
| 510+ | 1348.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVH4L045N065SC1 onsemi
Description: SIC MOS TO247-4L 650V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: TO-247-4L, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V.
Інші пропозиції NVH4L045N065SC1
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NVH4L045N065SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
SiC MOS TO247-4L 650V |
товар відсутній |
||
 |
NVH4L045N065SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SIC MOS TO247-4L 650V Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA Supplier Device Package: TO-247-4L Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V Vgs (Max): +22V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V |
товар відсутній |