на замовлення 7080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.37 грн |
10+ | 56.3 грн |
100+ | 38.86 грн |
500+ | 32.95 грн |
1500+ | 26.84 грн |
3000+ | 26.3 грн |
9000+ | 23.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFWS014P04M8LTAG onsemi
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 49A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 61W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVTFWS014P04M8LTAG за ціною від 59.61 грн до 78.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET, Single P-Channel, -40 V, 13.8 mO, -49 A |
на замовлення 888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVTFWS014P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 49 A, 0.01 ohm, WDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 49A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: WDFN Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||
NVTFWS014P04M8LTAG | Виробник : ON Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN |
товар відсутній |