Продукція > ONSEMI > NVTYS010N04CLTWG
NVTYS010N04CLTWG

NVTYS010N04CLTWG onsemi

nvtys010n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.8 грн
10+ 51.48 грн
100+ 35.66 грн
500+ 27.96 грн
1000+ 23.8 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTYS010N04CLTWG onsemi

Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA, Supplier Device Package: 8-LFPAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVTYS010N04CLTWG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTYS010N04CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvtys010n04cl-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWG NVTYS010N04CLTWG Виробник : onsemi nvtys010n04cl-d.pdf Description: T6 40V N-CH LL IN LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 20µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVTYS010N04CLTWG Виробник : onsemi NVTYS010N04CL_D-2493602.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single, N-Channel
товар відсутній