Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > NXPSC086506Q
NXPSC086506Q

NXPSC086506Q WeEn Semiconductors

nxpsc08650.pdf Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.63 грн
10+ 279.2 грн
100+ 228.8 грн
500+ 182.78 грн
1000+ 160.36 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NXPSC086506Q WeEn Semiconductors

Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-220AC, Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V.

Інші пропозиції NXPSC086506Q

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NXPSC086506Q Виробник : WeEn Semiconductors nxpsc08650.pdf NXPSC086506Q THT Schottky diodes
товар відсутній
NXPSC086506Q NXPSC086506Q Виробник : WeEn Semiconductors NXPSC08650-1499437.pdf Schottky Diodes & Rectifiers NXPSC086506/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товар відсутній