P100FP12SN-5071 SHINDENGEN
Виробник: SHINDENGENCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W
Case: FP (SC83 similar)
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 238W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 164nC
Technology: EETMOS3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис P100FP12SN-5071 SHINDENGEN
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W, Case: FP (SC83 similar), Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, On-state resistance: 7mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 238W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 164nC, Technology: EETMOS3, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 400A, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 100A, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції P100FP12SN-5071
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| P100FP12SN-5071 | Виробник : SHINDENGEN |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; EETMOS3; unipolar; 120V; 100A; Idm: 400A; 238W Case: FP (SC83 similar) Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 238W Polarisation: unipolar Gate charge: 164nC Technology: EETMOS3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 120V Drain current: 100A |
товар відсутній |